　　在晶振性能影響因素中負電阻尤其關鍵,應如何對其測量?
　　對石英晶振的性能來說,影響因素有很多,其中包括產品本身的固有屬性等,比如制造材料;當然也受外界環(huán)境因素的影響,比如溫度,機械振動等等;并且振蕩電路的設計也會存在影響;負電阻的值是振蕩電路設計時選取并且設計的,如果設計得當會提升晶振產品的性能,反之效果則相反;那么我們應該怎樣測量它呢?
　　負電阻是電路通過電路去抵消水晶振動子的電阻RL從而達到振蕩的能力.但僅此一點并不可以達到穩(wěn)定的振蕩.由于啟動時水晶振蕩子的電阻RL大于恒定的電阻值,因此單獨的RL對于負電阻電阻值是不夠的,為了防止啟動時會有不良情況發(fā)生,因此,必須有足夠的余量來防止啟動失敗并確保穩(wěn)定的振蕩啟動.
　　一個穩(wěn)定的振蕩回路,振蕩電路的負性阻抗NR必須大于晶振的負載電阻RL,有些廠商要求NR是負載電阻RL的3~5倍,有些廠商要求是5~10倍,一般認為NR大于負載電阻RL的5倍是比較保險的,也是通用的準則.例如,晶振的負載電阻RL阻抗為40Ω,則振蕩電路的負性阻抗的絕對值必須在200Ω以上,才能形成穩(wěn)定的振蕩回路,無論是石英晶體還是有源晶振系列都是一樣的道理.

　　當晶體單元作為振蕩電路中的感性電抗被致動時,晶體單元與振蕩電路之間的關系如圖E所示.為改善振蕩電路的啟動條件,可以增加晶振的值.負電阻-R-振蕩電路的參數.如果將負電阻裕度較小(負電阻較小)的電路與諧振電阻較大的晶體單元組合,則啟動條件將變得更糟.振蕩電路的設計目標應為負電阻值是諧振電阻的5至10倍.
　　還必須在振蕩電路中將負載電容的中心值(確定振蕩頻率的絕對值)和可變范圍(振蕩頻率的微調范圍)保持在最佳值.
　　負電阻的測量步驟主要有以下幾個方面;首先是如圖E所示,在使用的主電路中打開晶振單元的任一端,并在晶振單元中串聯一個可變電阻器.然后我們需要做的是更改電阻值以檢查當時觀察到的振蕩極限和以歐姆為單位的電阻.在這種情況下,必須可靠地打開和關閉電源電路.最后將上述得到的電阻值與晶振電路的諧振電阻R1相加就能夠得到負電阻的值了,不過值得注意的是,以上的測量步驟必須要在振蕩頻率的上限和下限進行.

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