　　石英晶體無論是天然的還是人造的,都不同程度地存在一些疵病(缺陷)。它們不僅是由于在晶體生長過程中受到種種條件的影響而產(chǎn)生,就是在已形成的晶體中和生長完成后,外界條件的變化(主要是溫度)產(chǎn)生的缺陷。這些缺陷會影響其可用程度和石英晶振元件的性能,以下簡要介紹幾種晶振常見的缺陷。
1、雙晶
　　雙晶是指兩個以上的同種晶振,按一定規(guī)律相互連生在一起。即在同塊晶體中,同時存在兩個方位不同的左旋部分(或右旋部分)。其中一部分繞Z軸轉180°后方與另一部分連生在一起,這兩部分的z軸彼此平行,所以兩部分的光學性能相同,而電軸兩部分相差180°,故它們的極性相反(見圖1.4.1)。
　　光雙晶是異旋晶體的連生,即在一塊晶體中,同時存在左旋和右旋兩個部分,它們連生在一起,左旋和右旋的光軸彼此平行,但旋光性相反,此外電軸極性也相反(見圖1.4.2)。

(a)左旋石英晶體的極性;(b)繞光軸轉180°°后左旋石英晶體的極性C)電雙晶的極性;

圖1.4.1電雙晶極性示意圖

(a)左旋石英晶體的極性;(b)右旋石英晶體的極性;(c)光雙晶的極性;

圖1.4.2光雙晶極性示意圖

電雙晶又稱道芬雙晶;光雙晶又稱巴西雙晶。雙晶的邊界可用氫氟酸腐蝕顯示出來(見圖1.4.3)。
　　雙晶多出現(xiàn)在天然石英晶體中,但在石英晶片加工中也會誘發(fā)出雙晶。例如：石英晶片加熱溫度超過573℃,或雖然不超過573°C,但石英片內部溫度梯度太大,都可能產(chǎn)生電雙晶;又如:晶片研磨時,由于機械應力的作用,可能產(chǎn)生微小的道芬雙晶。

(a)電雙晶腐蝕圖像(b)光雙晶腐蝕圖像

圖1.4.3電雙晶、光雙晶在z平面上的腐蝕圖像

　　在壓電石英晶體元件中,一般不允許含有雙晶,若要利用含有雙晶的石英晶片時,則對雙晶的位置和比例要嚴加限制,因此在石英晶片加工中,要力求避免雙晶的出現(xiàn).
2、包裹體
　　石英晶體中往往含有固體、膠體和氣—一液體三種包裹體。
　　固體包裹體是混雜在晶體內部的其它礦物質,天然石英晶體中固體包裹體大部分是圍巖碎屑和黃鐵礦、金紅石等。人造石英晶體的固體包裹體主要是硅酸鐵鈉( NaFesi₂O₆.2H₂O),它是由高壓釜內壁被腐蝕脫落的亞鐵離子和其它離子,與NaOH或Na₂CO₃溶液和SiO₂等產(chǎn)生化學反應而形成的。
　　膠體包裹體是含鉀(K)、鈉(Na)硅酸鹽膠體所組成。它是由于石英晶體生長過程中,溫度發(fā)生波動時溶液中的二氧化碳達到超飽和狀態(tài),來不及結晶而形成膠體包裹體。
氣一液包裹體中的液體主要是水溶液、碳酸和其它混合液,氣體是二氧化碳及揮發(fā)性化合物等,氣一液包裹體多集中在晶體底部包裹體是石英晶體的一種主要缺陷,實驗表明,如果晶片中含有大的針狀包裹體時,對石英晶體元件的電性能影響很大。
　　石英晶體的包裹體可用顯微鏡觀察法或油槽觀察法等進行檢查
3、藍針
石英晶體中藍色針狀的缺陷稱為藍針。
　　藍針形成的原因很多,有人認為藍針內部包含有鐵、錳、銅、鋅等金屬氧化物,在這些氧化物外部還有密集的小氣泡或小水珠,當光線通過它們時,除藍色光線外,其它光都被吸收掉,因此在晶體內部呈現(xiàn)藍色針狀缺陷。還有人研究發(fā)現(xiàn),存在藍針的地方有很細的裂縫,它與晶體原有宏觀裂隙平行生長,說明藍針是屬于晶體內部機械破壞的結果。
對一般應用的壓電石英晶片可以存在藍針,但用于制造穩(wěn)定度高的和頻率比較高的石英晶體元件時,不允許其石英晶片有藍針存在。
4、其它疵病
　　在一些晶體中,可隱隱看出數(shù)個晶體的影子,這叫幻影或稱魔幻。它是由于晶體生長中斷了一段時間,后來又在晶面上繼續(xù)結晶而形成的。幻影破壞了晶體格架的完整性,影響晶體的彈性,屬晶體內部深處的缺陷。
裂隙是存在于晶體內部的小裂縫。它的形成可能是由于生長區(qū)中二氧化硅供應不足,雜質分布不均勻,籽晶不完善,機械應力和溫度變化不均勻等緣故節(jié)瘤是由許多小晶塊構成的鑲嵌結構,其形狀像是很小的晶體鑲嵌到大晶體的表面。這種鑲嵌結構是受溫度、壓力、溶液飽和程度和混合物數(shù)量等生長條件影響而形成。
　　晶體內部某處有集中的許多微小氣泡和小裂隙,呈現(xiàn)白色如棉花狀,這種缺陷俗稱為棉。

正在載入評論數(shù)據(jù)...