NDK晶振網(wǎng)簡(jiǎn)介(發(fā)展)

1948 年  在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會(huì)社

1949 年  開(kāi)始晶體諧振器的制造、銷(xiāo)售

1950 年  公司名變更為日本電波工業(yè)株式會(huì)社

         總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町

1954 年  建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町（現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原）

1959 年  開(kāi)始晶體濾波器的制造

1960 年  開(kāi)始晶體振蕩器的制造

1962 年  著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現(xiàn)為 狹山事業(yè)所）

1963 年  在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開(kāi)始人工水晶的制造

          在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠

          在日本證券業(yè)協(xié)會(huì)進(jìn)行店面登記

1964 年  在狹山事業(yè)所建成組裝工廠

          在大阪府大阪市設(shè)立大阪辦事處

1970 年  在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會(huì)社（現(xiàn)為 新瀉NDK）

1975 年  在美國(guó)加利福尼亞州設(shè)立美國(guó)辦事處

1976 年  在宮城縣古川市（現(xiàn)為 大崎市）建立古川NDK株式會(huì)社

1979 年  在馬來(lái)西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.

         為取得更大發(fā)展而解散美國(guó)辦事處，設(shè)立NDK America,NDK晶振官網(wǎng)http://www.robbia.com.cn/VCTCXO/

　　壓控晶體振蕩器,NV7050SA晶振,VCXO振蕩器,進(jìn)口有源晶振,7050mm尺寸系列，晶體內(nèi)部采用了真空封裝技術(shù)，是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊
　　抗沖擊是指產(chǎn)品晶體可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種晶體產(chǎn)品,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
　　暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
　　請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
　　請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5：鹵化合物
　　請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
6：靜電
　　過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作. 

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