愛普生MC-146規(guī)格資料
來源:http://www.robbia.com.cn 作者:admin 2012年04月20
晶振不起振原因
原因分析:
1.在檢漏工序中,就是在酒精加壓的環(huán)境下,晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象,即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰,從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振;
2.在壓封時(shí),晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良,即晶體的密封性不好時(shí),在酒精加壓的條件下,其表現(xiàn)為漏氣,稱之為雙漏,也會(huì)導(dǎo)致停振;
3.由于芯片本身的厚度很薄,當(dāng)激勵(lì)功率過大時(shí),會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損,導(dǎo)致停振;
4.有功負(fù)載會(huì)降低Q值(即品質(zhì)因素),從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象;
5.由于晶體在剪腳和焊錫的時(shí)候容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,而焊錫溫度過高和作用時(shí)間太長都會(huì)影響到晶體,容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài),以至出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,甚至停振;
6.在焊錫時(shí),當(dāng)錫絲透過線路板上小孔滲過,導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊,或是晶體在制造過程中,基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏,都會(huì)造成短路,從而引起停振;
7.當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移,且超出晶體頻率偏差范圍過多時(shí),以至于捕捉不到晶體的中心頻率,從而導(dǎo)致芯片不起振。
處理方法:
嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性,及時(shí)處理不良品并分析原因;
1.壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Wo(hù)中與外殼封裝起來,以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈,壓封倉要連續(xù)沖氮?dú)猓⒃趬悍膺^程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾#駝t及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對稱不可歪斜。
2.由于石英晶體是被動(dòng)組件,它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的,因此,當(dāng)激勵(lì)功率過低時(shí),晶體不易起振,過高時(shí),便形成過激勵(lì),使石英芯片破損,引起停振。所以,應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外,有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率,從而降低晶體Q值,從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,所以,外加有功負(fù)載時(shí),應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。3.控制好剪腳和焊錫工序,并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量,引腳鍍層光亮均勻無麻面,無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏,可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。
4.當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí),應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容,可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決.
原因分析:
1.在檢漏工序中,就是在酒精加壓的環(huán)境下,晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象,即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰,從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振;
2.在壓封時(shí),晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良,即晶體的密封性不好時(shí),在酒精加壓的條件下,其表現(xiàn)為漏氣,稱之為雙漏,也會(huì)導(dǎo)致停振;
3.由于芯片本身的厚度很薄,當(dāng)激勵(lì)功率過大時(shí),會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損,導(dǎo)致停振;
4.有功負(fù)載會(huì)降低Q值(即品質(zhì)因素),從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象;
5.由于晶體在剪腳和焊錫的時(shí)候容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,而焊錫溫度過高和作用時(shí)間太長都會(huì)影響到晶體,容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài),以至出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,甚至停振;
6.在焊錫時(shí),當(dāng)錫絲透過線路板上小孔滲過,導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊,或是晶體在制造過程中,基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏,都會(huì)造成短路,從而引起停振;
7.當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移,且超出晶體頻率偏差范圍過多時(shí),以至于捕捉不到晶體的中心頻率,從而導(dǎo)致芯片不起振。
處理方法:
嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性,及時(shí)處理不良品并分析原因;
1.壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Wo(hù)中與外殼封裝起來,以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈,壓封倉要連續(xù)沖氮?dú)猓⒃趬悍膺^程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾#駝t及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對稱不可歪斜。
2.由于石英晶體是被動(dòng)組件,它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的,因此,當(dāng)激勵(lì)功率過低時(shí),晶體不易起振,過高時(shí),便形成過激勵(lì),使石英芯片破損,引起停振。所以,應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外,有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率,從而降低晶體Q值,從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,所以,外加有功負(fù)載時(shí),應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。3.控制好剪腳和焊錫工序,并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量,引腳鍍層光亮均勻無麻面,無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏,可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。
4.當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí),應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容,可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決.
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